參數(shù)資料
型號: VNN7NV0413TR
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述: “OMNIFET二”:充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù): 18/29頁
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代理商: VNN7NV0413TR
18/29
VNN7NV04 / VNS7NV04 / VND7NV04 / VND7NV04-1
Thermal fitting model of an OMNIFET II in
DPAK
Pulse calculation formula
Thermal Parameter
Area/island (cm
2
)
R1 (°C/W)
R2 (°C/W)
R3 ( °C/W)
R4 (°C/W)
R5 (°C/W)
R6 (°C/W)
C1 (W.s/°C)
C2 (W.s/°C)
C3 (W.s/°C)
C4 (W.s/°C)
C5 (W.s/°C)
C6 (W.s/°C)
Footprint
0.1
0.35
1.20
2
15
61
0.0006
0.0021
0.05
0.3
0.45
0.8
6
24
5
Z
TH
δ
R
TH
δ
δ
=
Z
THtp
1
δ
(
)
+
=
where
t
p
T
DPAK Thermal Impedance Junction Ambient Single Pulse
T_amb
C1
R1
R2
C2
R3
C3
R4
C4
R5
C5
R6
C6
Pd
Tj
0.1
0.0001
1
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Time (s)
ZTH (°C/W)
Footprint
6 cm
2
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PDF描述
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參數(shù)描述
VNN7NV04PTR-E 功能描述:MOSFET 40V 6A OMNIFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNN7NV04TR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC N-Ch 40V 6A OmniFET RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNP10N06 功能描述:MOSFET N-Ch 60V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNP10N06-E 功能描述:MOSFET N-Ch 60V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNP10N06FI 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 60V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關(guān)閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5