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參數(shù)資料
| 型號： | V59C1G01168QBLJ-25I |
| 廠商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM, PBGA84 |
| 封裝： | GREEN, FBGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 10/82頁 |
| 文件大小： | 995K |
| 代理商： | V59C1G01168QBLJ-25I |
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V59C1G01(408/808/168)QB Rev. 1.1 December 2008
ProMOS TECHNOLOGIES
V59C1G01(408/808/168)QB
ODT (on-die termination)
On DieTermination (ODT) is a feature that allows a DRAM to turn on/off termination resistance for each
DQS/DQS,RDQS/RDQS, and DM signal for x4/x8 configurations via the ODT control pin . The ODT
Input
Pin
Input
Buffer
DRAM
VSSQVSSQ
VDDQVDDQ
Rval2
Rval1
sw1
sw2
Selection among sw1, sw2, and sw3 is determined by “Rtt (nominal)” in EMR.
Termination included on all DQs, DM, DQS, DQS, RDQS, and RDQS pins.
Switch (sw1, sw2, sw3) is enabled by ODT pin.
VSSQ
VDDQ
Rval3
sw3
Functional representation of ODT
DQ,
feature is designed to improve signal integrity of the memory channel by allowing the DRAM controller to
independently turn on/off termination resistane for any or all DRAM devices.
The ODT function is supported for ACTIVE and STANDBY modes. ODT is turned off and not supported
in SELF REFRESH mode.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V59C1G01408QAUP25A | 256M X 4 DDR DRAM, PBGA68 |
| V59C1512164QALJ25AH | 32M X 16 DDR DRAM, PBGA92 |
| V59C1512164QALP37I | 32M X 16 DDR DRAM, PBGA92 |
| V59C1512164QAUJ5I | 32M X 16 DDR DRAM, PBGA92 |
| V59C1512164QAUP19AH | 32M X 16 DDR DRAM, PBGA92 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V5A010CB | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 PIN PLUNGER |
| V5A010CB | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 PIN PLUNGER |
| V5A010CB4D | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 ROLLER LEVER |
| V5A010CB4D | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 ROLLER LEVER |
| V5A010CB4E | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 ROLLER LEVER |
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