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參數(shù)資料
| 型號： | UPD703215 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 32-Bit Single-Chip Microcontrollers |
| 中文描述： | 32位單芯片微控制器 |
| 文件頁數(shù)： | 791/861頁 |
| 文件大?。?/td> | 4428K |
| 代理商： | UPD703215 |
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CHAPTER 29 ELECTRICAL SPECIFICATIONS (STANDARD PRODUCTS (MASK ROM VERSION OF 128 KB OR LESS AND TWO-POWER FLASH MEMORY VERSION), (A) GRADE PRODUCTS)
User’s Manual U16890EJ1V0UD
791
Flash Memory Programming Characteristics
(T
A
= 10 to 40
°
C, V
DD
= EV
DD
= AV
REF0
= 2.7 to 5.5 V, 2.7 V
≤
BV
DD
≤
V
DD
, 2.7 V
≤
AV
REF1
≤
V
DD
, V
SS
= EV
SS
= BV
SS
=
AV
SS
= 0 V)
(1) Basic characteristics
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Programming operation
frequency
2
10
MHz
V
PP
supply voltage
V
PP2
During flash memory programming
9.7
10.0
10.3
V
V
DD
supply current
I
DD
When V
PP
= V
PP2
, f
XX
= 10 MHz, V
DD
=
5.5 V
60
mA
V
PP
supply current
I
PP
When V
PP
= V
PP2
100
mA
Step erase time
t
ER
Note 1
0.196
0.2
0.204
s
Overall erase time
t
ERA
When step erase time = 0.2 s,
Note 2
20
s/area
Writeback time
t
WB
Note 3
4.9
5.0
5.1
ms
Number of writebacks
C
WB
When writeback time = 1 ms,
Note 4
100
Times
Number of erases/writebacks
C
ERWB
16
Times
Step write time
t
WR
Note 5
49
50
51
μ
s
Overall write time per word
t
WRW
When step write time = 50
μ
s (1 word =
4 bytes),
Note 6
49
510
μ
s/word
Number of rewrites per area
C
ERWR
1 erase + 1 write after erase = 1 rewrite,
Note 7
20
Count/area
Notes
1.
The recommended setting value of the step erase time is 0.2 s.
2.
The prewrite time prior to erasure and the erase verify time (writeback time) are not included.
3.
The recommended setting value of the writeback time is 5.0 ms.
4.
Writeback is executed once by the issuance of the writeback command. Therefore, the retry count must
be the maximum value minus the number of commands issued.
5.
The recommended setting value of the step writing time is 50
μ
s.
6.
100
μ
s is added to the actual writing time per word. The internal verify time during and after the writing is
not included.
7.
When writing initially to shipped products, it is counted as one rewrite for both “erase to write” and “write
only”.
Example (P: Write, E: Erase)
Shipped product
→
P
→
E
→
P
→
E
→
P: 3 rewrites
Shipped product
→
E
→
P
→
E
→
P
→
E
→
P: 3 rewrites
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PDF描述 |
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