參數(shù)資料
型號(hào): UPA611TA
廠商: NEC Corp.
英文描述: N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
中文描述: N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速開關(guān)
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大?。?/td> 52K
代理商: UPA611TA
Data Sheet D11707EJ1V0DS00
3
μ
PA611TA
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 °C)
30
T
A
- Ambient Temperature -
C
150
60
90
20
60
80
40
0
100
120
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
d
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
2
8
10
4
6
200
100
0
400
300
2.5 V
3 V
3.5 V
V
GS
= 4 V
1.0
2.0
V
GS
- Gate to Sorce Voltage - V
3.0
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
0.000001
4.0
5.0
T
A
= 125C
75C
25C
25C
V
DS
= 3 V
TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
1
1
10
100
1000
|
f
|
0.01
0.1
0.001
0.0001
V
DS
= 3 V
I
D
- Drain Current - A
T
A
=
25
C
25C
75C
125C
FORWARD TRANSFER ADMMITTANCE Vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
0.0001
0.001
I
D
- Drain Current - A
0.1
0.01
R
D
0
15
10
20
5
V
GS
= 2.5 V
T
A
= 125
C
75
25
C
C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
0.01
0.001
0.0001
0.1
1
I
D
- Drain Current - A
R
D
0
5
10
15
V
GS
= 4 V
T
A
= 125
C
75
C
25
C
25
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA651TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA652TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA653TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA672 N-CHANNEL MOS FET ARRAY FOR SWITCHING
UPA672T N-CHANNEL MOS FET ARRAY FOR SWITCHING
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參數(shù)描述
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