參數(shù)資料
型號(hào): UPA611TA
廠商: NEC Corp.
英文描述: N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
中文描述: N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù): 2/8頁(yè)
文件大小: 52K
代理商: UPA611TA
Data Sheet D11707EJ1V0DS00
2
μ
PA611TA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 °C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Drain Cut-off Current
I
DSS
V
DS
= 30
V, V
GS
= 0
V
1
μ
A
Gate Leakage Current
I
GSS
V
GS
= ±20
V, V
DS
= 0
V
±10
μ
A
Gate Cut-off Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 3
V, I
D
= 10
μ
A
1.0
1.4
1.8
V
Forward Transfer Admittance
| y
fs
|
V
DS
= 3
V, I
D
= 10 m
A
20
mS
R
DS(on)1
V
GS
= 2.5
V, I
D
= 1 m
A
8
15
R
DS(on)2
V
GS
= 4
V, I
D
= 10
mA
4
8
Drain to Source On-state Resistance
R
DS(on)3
V
GS
= 10
V, I
D
= 10
mA
3
5
Input Capacitance
C
iss
V
DS
= 3
V
9
pF
Output Capacitance
C
oss
V
GS
= 0
V
12
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
f = 1
MHz
2.1
pF
Turn-on Delay Time
t
d(on)
V
DD
= 3
V
40
ns
Rise Time
t
r
I
D
= 10
mA
55
ns
Turn-off Delay Time
t
d(off)
V
GS(on)
= 4
V
68
ns
Fall Time
t
f
R
G
= 10
,
R
L
= 300
64
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA651TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA652TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA653TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA672 N-CHANNEL MOS FET ARRAY FOR SWITCHING
UPA672T N-CHANNEL MOS FET ARRAY FOR SWITCHING
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參數(shù)描述
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