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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA1760 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | UPA1760 |
Data Sheet G13891EJ1V0DS00
4
μ
PA1760
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature - C
R
D
10
50
20
0
50
100
150
30
50
40
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
F
0.10.0
1
10
100
0.2
1.0
1.2
Pulsed
0.4
0.6
0.8
1.4
V
GS
=0V
V
GS
=10V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
10
0.1
100
1000
10000
1
10
100
V
= 0 V
f = 1 MHz
C
oss
C
iss
C
rss
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
0.1
1000
100
10
1
1
10
100
V
DS
=
15
V
V
GS
=
10
V
R
G
=
10
t
d(on)
t
d(off)
t
f
t
r
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
t
r
0.1
1
10
100
1000
100
10
1
di/dt
=
100
A/
μ
s
V
GS
=
0 V
V
G
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
40
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
10
20
25
30
30
20
10
16
14
12
10
8
6
4
2
0
I
D
=
8
A
5
15
5
0
15
25
35
V
DD
=24
V
V
DD
=15
V
V
DD
=6
V
V
GS
V
DS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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