參數(shù)資料
型號(hào): UNR521DR
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 11/17頁(yè)
文件大?。?/td> 552K
代理商: UNR521DR
UNR521x Series
3
SJH00024CED
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Resistance UNR521M
R1/R2
0.047
ratio
UNR521N
0.1
UNR5218/5219
0.08
0.10
0.12
UNR521Z
0.21
UNR5214
0.17
0.21
0.25
UNR521T
0.47
UNR521F
0.37
0.47
0.57
UNR521V
1.0
UNR5211/5212/5213/521L
0.8
1.0
1.2
UNR521K
1.70
2.13
2.60
UNR521E
1.70
2.14
2.60
UNR521D
3.7
4.7
5.7
■ Electrical Characteristics (continued) T
a
= 25°C ± 3°C
Characteristics charts of UNR5210
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Common characteristics chart
PT Ta
012
210
48
6
0
60
50
40
30
20
10
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Ta
= 25°C
IB
= 1.0 mA
0.1 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
102
101
1
10
102
110
102
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0
1
100
200
300
400
10
102
103
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0
160
40
120
80
240
200
160
120
80
40
Ambient temperature T
a (°C)
Total
power
dissipation
P
T
(mW
)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR6115 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UNR6116 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UP0.4C-4R7 1 ELEMENT, 4.95 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
UP0.4C-330 1 ELEMENT, 32.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
UP0.4C-1R0 1 ELEMENT, 1.16 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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UNR521E(UN521E) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス - 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
UNR521E00L 功能描述:TRANS NPN W/RES 60 HFE S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR521F 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type