參數(shù)資料
型號(hào)： UNR521DR
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/17頁(yè)
文件大?。?/td> 552K
代理商： UNR521DR
UNR521x Series
14
SJH00024CED
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
Characteristics charts of UNR521N
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
0
10 1
5
4
3
2
1
110
102
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
f
= 1 MHz
IE
= 0
Ta
= 25°C
1
0.4
10
102
103
104
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage V
IN (V)
VO
= 5 V
Ta
= 25°C
10 2
10 1
1
10
102
110
102
Input
voltage
V
IN
(V)
Output current I
O (mA)
VO
= 0.2 V
Ta
= 25°C
0
012
210
48
6
40
120
80
160
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Ta
= 25°C
IB
= 1.0 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
10 2
1
10 1
1
10
102
103
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0
1
480
400
320
240
160
80
10
102
103
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25°C
25
°C
0
1
6
5
4
3
2
1
10
102
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
f
= 1 MHz
IE
= 0
Ta
= 25°C
1
0.4
10
102
103
104
1.4
1.2
1
0.8
0.6
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage V
IN (V)
VO
= 5 V
Ta
= 25°C
10 2
10 1
1
10
102
110
102
Input
voltage
V
IN
(V)
Output current I
O (mA)
VO
= 0.2 V
Ta
= 25°C
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR6115 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UNR6116 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UP0.4C-4R7 1 ELEMENT, 4.95 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
UP0.4C-330 1 ELEMENT, 32.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
UP0.4C-1R0 1 ELEMENT, 1.16 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR521E 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
UNR521E(UN521E) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
UNR521E00L 功能描述:TRANS NPN W/RES 60 HFE S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR521F 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*