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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR521DR |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 552K |
| 代理商： | UNR521DR |
UNR521x Series
11
SJH00024CED
Characteristics charts of UNR521E
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Characteristics charts of UNR521F
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
012
210
48
6
0
60
50
40
30
20
10
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Ta
= 25°C
IB = 1.0 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
10 2
10 1
1
10
102
110
102
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0
1
40
80
120
160
10
102
103
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0
10 1
6
5
4
3
2
1
110
102
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
f
= 1MHz
IE
= 0
Ta
= 25°C
1
1.5
10
102
103
104
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage V
IN (V)
VO
= 5 V
Ta
= 25°C
10 2
10 1
1
10
102
110
102
Input
voltage
V
IN
(V)
Output current I
O (mA)
VO
= 0.2 V
Ta
= 25°C
012
210
48
6
0
240
200
160
120
80
40
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Ta
= 25°C
IB
= 1.0 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
10 2
10 1
1
10
102
110
102
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0
1
40
80
120
160
10
102
103
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR6115 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| UNR6116 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| UP0.4C-4R7 | 1 ELEMENT, 4.95 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UP0.4C-330 | 1 ELEMENT, 32.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UP0.4C-1R0 | 1 ELEMENT, 1.16 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR521E | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR521E(UN521E) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR521E00L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 60 HFE S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR521F | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
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