- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄225429 > UNR521DR (PANASONIC CORP) 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | UNR521DR |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 10/17頁 |
| 文件大小： | 552K |
| 代理商： | UNR521DR |
UNR521x Series
2
SJH00024CED
■ Electrical Characteristics T
a = 25°C ± 3°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC = 10 A, IE = 050
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC
= 2 mA, I
B
= 050
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB = 50 V, IE = 0
0.1
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
ICEO
VCE = 50 V, IB = 0
0.5
Emitter-base UNR5210/5215/5216/5217
IEBO
VEB
= 6 V, I
C
= 0
0.01
mA
cutoff current UNR5213
0.1
(Collector
UNR5212/5214/521D/
0.2
open)
521E/521M/521N/521T
UNR521Z
0.4
UNR5211
0.5
UNR521F/521K
1.0
UNR5219
1.5
UNR5218/521L/521V
2.0
Forward
UNR521V
hFE
VCE
= 10 V, I
C
= 5 mA
6
20
current
UNR5218/521K/521L
20
transfer
UNR5219/521D/521F
30
ratio
UNR5211
35
UNR5212/521E
60
UNR521Z
60
200
UNR5213/5214/521M
80
UNR521N/521T
80
400
UNR5210*/5215*/5216*/5217*
160
460
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 10 mA, IB = 0.3 mA
0.25
V
UNR521V
IC
= 10 mA, I
B
= 1.5 mA
Output voltage high-level
VOH
VCC = 5 V, VB = 0.5 V, RL = 1 k
4.9
V
Output voltage low-level
VOL
VCC = 5 V, VB = 2.5 V, RL = 1 k
0.2
V
UNR5213/521K
VCC
= 5 V, V
B
= 3.5 V, R
L
= 1 k
UNR521D
VCC = 5 V, VB = 10 V, RL = 1 k
UNR521E
VCC = 5 V, VB = 6.0 V, RL = 1 k
Transition frequency
fT
VCB
= 10 V, I
E
= 2 mA, f = 200 MHz
150
MHz
Input
UNR5218
R1
30%
0.51
+30%
k
resistance UNR5219
1.0
UNR521M/521V
2.2
UNR5216/521F/521L/521N
4.7
UNR521Z
UNR5211/5214/5215/521K
10
UNR5212/5217/521T
22
UNR5210/5213/521D/521E
47
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
Rank
Q
R
S
No-rank
hFE
160 to 260
210 to 340
290 to 460
160 to 460
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR6115 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| UNR6116 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| UP0.4C-4R7 | 1 ELEMENT, 4.95 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UP0.4C-330 | 1 ELEMENT, 32.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UP0.4C-1R0 | 1 ELEMENT, 1.16 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR521E | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR521E(UN521E) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR521E00L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 60 HFE S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR521F | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。