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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UML1N |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Low-frequency transistor |
| 中文描述： | 低頻晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 25K |
| 代理商： | UML1N |
(SPEC-UML1N)
593
Transistors
UML1N
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UML4N | General purpose transistor |
| UMP1N | SWITCHING DIODE |
| UMR12N | Switching diode Silicon epitaxial planar |
| UMT2222A | NPN Medium Power Transistor (Switching) |
| UMT3904 | NPN General Purpose Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UML1NTR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 50V .15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| UML1SL | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| UML1SL_07 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| UML1T | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| UML1V100MDD | 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器 - 帶引線 35volts 10uF 5x5 20% 2LS RoHS:否 制造商:Kemet 引線類型: 電容:220 uF 容差:20 % 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍: 端接類型:Radial 外殼直徑:8 mm 外殼長(zhǎng)度:11 mm 引線間隔:5 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors 封裝:Bulk |
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