參數(shù)資料
型號(hào): UMF6N
廠商: Rohm CO.,LTD.
英文描述: Power management (dual transistors)
中文描述: 電源管理()雙晶體管
文件頁(yè)數(shù): 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 99K
代理商: UMF6N
UMF6N
Transistors
5/5
200m
R
D
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V
SD
(V)
1.5
1
0.5
0
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
Fig.18 Reverse drain current vs.
source-drain voltage (
ΙΙ
)
Ta
=
25
°
C
Pulsed
V
GS
=
4V
0V
0.1
1
2
50
C
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V
DS
(V)
0.5
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
5
10
20
Fig.19 Typical capacitance vs.
drain-source voltage
C
iss
C
oss
C
rss
Ta
=
25
°
C
f
=
1MH
Z
V
GS
=
0V
0.1
10
20
500
S
DRAIN CURRENT : I
D
(mA)
5
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
50
100
200
1000
2
100
Ta
=
25
°
C
V
DD
=
5V
V
GS
=
5V
R
G
=
10
Pulsed
t
d(off)
t
r
t
d(on)
t
f
Fig.20 Switching characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UMH14N General purpose (dual digital transistors)
UMH2N General purpose (dual digital transistors)
UMH6N General purpose (dual digital transistors)
UMH7N General purpose (dual digital transistors)
UMH8N General purpose (dual digital transistors)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UMF6NTR 功能描述:二極管 - 通用,功率,開(kāi)關(guān) PNP/N-CH 12V 500MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
UMF7N 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power management (dual transistors)
UMF7NTR 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 COMPLEX BIOPLAR NPN+DTR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
UMF8N 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power management (dual transistors)
UMF8NTR 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 COMPLEX BIOPLAR NPN+DTR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel