參數(shù)資料
型號(hào)： U309
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小飽和漏極電流12mA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： N溝道場(chǎng)效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓- 25V的，最小飽和漏極電流12mA電流的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
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代理商： U309
J/SST/U308 Series
Siliconix
S-52424—Rev. F, 14-Apr-97
5
Typical Characteristics (Cont’d)
Output Characteristics
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
–
I
D
50
0
4
2
8
10
40
20
10
0
30
6
–2.4 V
V
GS
= 0 V
–0.4 V
–0.8 V
–1.2 V
–1.6 V
–2.0 V
Transfer Characteristics
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
I
D
30
0
–1.2
–0.4
–1.6
–2
24
12
6
0
18
–0.8
T
A
= –55 C
V
GS(off)
= –1.5 V
125 C
Transfer Characteristics
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
I
D
100
0
–1.8
–0.6
–2.4
–3
80
40
20
0
60
–1.2
T
A
= –55 C
25 C
V
GS(off)
= –3 V
125 C
30
0
–1.2
–1.6
–0.4
–2
24
12
6
0
–0.8
18
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
GS(off)
= –1.5 V
T
A
= –55 C
125 C
g
f
50
0
–1.8
–2.4
–0.6
–3
40
20
10
0
–1.2
30
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
T
A
= –55 C
25 C
125 C
V
GS(off)
= –3 V
g
f
V
GS(off)
= –3 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
25 C
25 C
Output Characteristics
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.8 V
–1.0 V
20
0
6
8
2
10
16
8
4
0
4
12
V
GS(off)
= –1.5 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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U30BCT 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Common-Cathode Ultrafast Plastic Rectifier
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