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參數(shù)資料
| 型號： | U309 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小飽和漏極電流12mA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | N溝道場效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓- 25V的，最小飽和漏極電流12mA電流的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商： | U309 |
J/SST/U308 Series
4
Siliconix
S-52424—Rev. F, 14-Apr-97
Typical Characteristics
Drain Current and Transconductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
100
0
–5
–4
–3
–1
80
20
0
50
40
10
0
Gate Leakage Current
Output Characteristics
On-Resistance and Output Conductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
Common-Source Forward Transconductance
vs. Drain Current
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
V
DG
– Drain-Gate Voltage (V)
I
D
– Drain Current (mA)
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
–
I
D
g
f
–
I
G
g
f
–
I
D
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
f = 1 kHz
g
fs
I
DSS
T
A
= –55 C
25 C
125 C
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.8 V
V
GS(off)
= –3 V
60
40
–2
30
20
100
–3
–5
–4
–1
80
0
300
240
120
60
0
60
40
20
–2
0
180
r
DS
@ I
D
= 1 mA, V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V, f = 1 kHz
r
DS
0
6
3
12
15
9
I
GSS
@ 125 C
T
A
= 125 C
T
A
= 25 C
200 A
0.1
1
10
20
16
8
4
0
12
15
0
0.4
0.2
0.8
1
12
6
3
0
9
0.6
–1.0 V
g
os
I
GSS
@ 25 C
0.1 pA
1 pA
10 pA
100 pA
1 nA
10 nA
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
= –1.5 V
10 mA
Output Characteristics
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
= 0 V
–1.2 V
–0.4 V
–1.6 V
–0.8 V
30
0
0.4
0.2
0.8
1
24
12
6
0
18
0.6
–2.0 V
–2.4 V
V
GS(off)
= –3 V
r
D
–
)
S
g
–
I
G @
I
D
= 10 mA
200 A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| U309CHP | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:NZB2 CHIPS |
| U309-E3 | 功能描述:JFET 450MHz Amp RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| U30BCT | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Common-Cathode Ultrafast Plastic Rectifier |
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