參數(shù)資料
型號： TN2460T
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(最小漏源擊穿電壓240V，最小夾斷電流51mA的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET（最小漏源擊穿電壓240伏，最小夾斷電流五一毫安的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的晶體管）
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： TN2460T
TN2460L/TN2460T
4
Siliconix
P-37409—Rev. C, 04-Jul-94
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted) (Cont’d)
10 K
1
0.01
0.1
0.1
1
100
10
1 K
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
Capacitance
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA)
Gate Charge
Drive Resistance Effects on Switching
N
T
t
1
– Square Wave Pulse Duration (sec)
R
G
– Gate Resistor ( )
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
Q
g
– Total Gate Charge (pC)
C
–
V
G
t
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 156 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
20
16
12
0
0
10
50
8
4
20
30
40
V
GS
= 0 V
C
iss
C
oss
C
rss
15.0
12.5
10.0
0
0
50
300
7.5
5.0
100
150
200
2.5
250
R
L
= 6.2 k
V
DS
= 100 V
192 V
Load Condition Effects on Switching
I
D
– Drain Current (A)
t
10
50
100
100
10
1
20
50
20
5
2
V
DD
= 25 V
R
G
= 25
V
GS
= 0 to 10 V
t
f
t
d(off)
t
r
t
d(on)
10
50
10
1
20
50
2
V
DD
= 25 V
R
L
= 500
V
GS
= 0 to 10 V
I
D
= 50 mA
t
f
t
d(off)
t
r
t
d(on)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN2469TK 302 Photo Transistor Series
TN2535 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓350V，低門限2.0V，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
TN2540 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓400V，低門限2.0V，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
TN2640 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓400V，低門限2.0V，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
TN3012L N-Channel 300-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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TN248ULCSAJ 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:
TN2-48V 功能描述:低信號繼電器 - PCB 2 Form C 1 Form A Gold Contact 48V RoHS:否 制造商:NEC 觸點(diǎn)形式:2 Form C (DPDT-BM) 觸點(diǎn)電流額定值: 線圈電壓:5 V 最大開關(guān)電流:1 A 線圈電流:1 A 線圈類型:Non-Latching 功耗:140 mW 端接類型:SMT 絕緣: 介入損耗:
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