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參數(shù)資料
| 型號： | TN2460T |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(最小漏源擊穿電壓240V，最小夾斷電流51mA的N溝道增強型MOSFET晶體管) |
| 中文描述： | N溝道增強型MOSFET（最小漏源擊穿電壓240伏，最小夾斷電流五一毫安的N溝道增強型MOSFET的晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | TN2460T |
TN2460L/TN2460T
2
Siliconix
P-37409—Rev. C, 04-Jul-94
Specifications
a
Limits
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
b
Max
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
V
GS
= 0 V, I
D
= 10 A
240
260
V
Gate-Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
0.5
1.65
1.8
Gate Body Leakage
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
20 V
10
nA
T
J
= 125 C
5
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 120 V, V
GS
= 0 V
0.1
A
T
J
= 125 C
5
On State Drain Current
On-State Drain Current
c
I
D(on)
V
DS
= 10 V, V
GS
=10 V
75
140
mA
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V
20
130
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.05 A
38
60
Drain-Source On-Resistance
c
r
DS(on)
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 0.02 A
40
60
T
J
= 125 C
75
120
Forward Transconductance
c
g
fs
V
DS
= 10 V, I
D
= 0.05 A
30
70
mS
Dynamic
Input Capacitance
C
iss
14
30
Output Capacitance
C
oss
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
4
15
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
1
10
Switching
d
Turn-On Time
t
ON
25
0 05
0.05
8
20
ns
Turn-Off Time
t
OFF
20
35
Notes
a.
b.
c.
d.
T
A
= 25 C unless otherwise noted.
For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing.
Pulse test: PW
80 s duty cycle
Switching time is essentially independent of operating temperature.
VNDN24
1%.
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PDF描述 |
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