參數(shù)資料
型號： TN2460T
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(最小漏源擊穿電壓240V，最小夾斷電流51mA的N溝道增強型MOSFET晶體管)
中文描述： N溝道增強型MOSFET（最小漏源擊穿電壓240伏，最小夾斷電流五一毫安的N溝道增強型MOSFET的晶體管）
文件頁數(shù)： 3/4頁
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代理商： TN2460T
TN2460L/TN2460T
Siliconix
P-37409—Rev. C, 04-Jul-94
3
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted)
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Normalized On-Resistance
vs. Junction Temperature
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
I
D
–
I
D
–
r
D
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
– Drain Current (A)
T
J
– Junction Temperature ( C)
r
D
–
(
200
0
4
8
12
16
20
160
120
80
40
0
V
GS
= 10 V
4 V
3 V
2 V
100
80
60
0
0
1
5
40
20
2
3
4
V
DS
= 15 V
125 C
T
J
= –55 C
100
0
4
8
12
16
20
90
80
70
30
60
50
40
10 mA
50 mA
I
D
= 100 mA
On-Resistance vs. Drain Current
–
r
D
125
100
75
0
0
50
250
50
25
100
150
200
V
GS
= 10 V
2.25
2.00
1.75
0.50
–50
–10
150
1.50
1.25
30
70
110
1.00
0.75
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 50 mA
–
I
D
Threshold Region
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
10
1
0.01
0.75
1
2.5
0.1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
–55 C
T
J
= 150 C
V
DS
= 5 V
25 C
75 C
25 C
相關PDF資料
PDF描述
TN2469TK 302 Photo Transistor Series
TN2535 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓350V，低門限2.0V，N溝道增強型垂直DMOS結構場效應管)
TN2540 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓400V，低門限2.0V，N溝道增強型垂直DMOS結構場效應管)
TN2640 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓400V，低門限2.0V，N溝道增強型垂直DMOS結構場效應管)
TN3012L N-Channel 300-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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TN248ULCSAJ 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:
TN2-48V 功能描述:低信號繼電器 - PCB 2 Form C 1 Form A Gold Contact 48V RoHS:否 制造商:NEC 觸點形式:2 Form C (DPDT-BM) 觸點電流額定值: 線圈電壓:5 V 最大開關電流:1 A 線圈電流:1 A 線圈類型:Non-Latching 功耗:140 mW 端接類型:SMT 絕緣: 介入損耗:
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