參數資料
型號： TN0110
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓100V，低門限2.0V，N溝道增強型垂直DMOS結構場效應管)
中文描述： N溝道增強型場效應管垂直的DMOS（100V的擊穿電壓，2.0V的低門限，?溝道增強型垂直的DMOS結構場效應管）
文件頁數： 4/4頁
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代理商： TN0110
7-38
TN0106/TN0110
Typical Performance Curves
Gate Drive Dynamic Characteristics
Q (nanocoulombs)
V
G
(
T
j
G
V
(
D
R
(
V
DS
(th)
and R
Variation with Temperature
C)
°
(
On-Resistance vs. Drain Current
(amperes)
D
I
(
D
R
Variation with Temperature
DSS
D
B
(
C)
°
(
T
j
Transfer Characteristics
V
GS
(volts)
I
D
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
100
C
V
DS
(volts)
BV
0
10
20
30
40
75
50
25
0
2
4
6
8
10
3.0
2.4
1.8
1.2
0.6
-50
0
50
100
150
1.3
1.2
0.8
5.0
2.0
0
5.0
3.0
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
10
8
6
4
2
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
-50
0
50
100
150
f = 1MHz
4.0
3.0
1.0
0
1.0
2.0
4.0
40V
0
0.9
1.0
1.1
50pF
0
0
V
GS
= 5V
V
GS
= 10V
V
DS
= 25V
T
A
= -55
°
C
25
°
C
150
°
C
V
(th)
@ 0.5mA
R
DS(ON)
@ 10V, 0.5A
C
ISS
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 10V
55pF
相關PDF資料
PDF描述
TN0200K CONNECTOR ACCESSORY
TN0200T N-Channel 20-V (D-S) MOSFETs
TN0200TS N-Channel 20-V (D-S) MOSFETs
TN0200T N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(N溝道增強型MOSFET)
TN0200TS N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(N溝道增強型MOSFET)
相關代理商/技術參數
參數描述
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TN0110N3-G 功能描述:MOSFET 100V 3Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN0110N3-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TN0110N3-G P003 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TN0110N3-G P005 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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