參數(shù)資料
型號： TN0110
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓100V，低門限2.0V，N溝道增強型垂直DMOS結構場效應管)
中文描述： N溝道增強型場效應管垂直的DMOS（100V的擊穿電壓，2.0V的低門限，?溝道增強型垂直的DMOS結構場效應管）
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 27K
代理商： TN0110
7-37
7
Typical Performance Curves
TN0106/TN0110
Output Characteristics
5
4
3
2
1
0
10
20
V
DS
(volts)
30
50
40
I
D
Saturation Characteristics
5
4
3
2
1
0
2
4
6
10
8
V
DS
(volts)
I
D
Maximum Rated Safe Operating Area
1
1000
100
10
0.1
1.0
10
0.01
V
DS
(volts)
I
D
Thermal Response Characteristics
T
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.001
10
0.01
0.1
1
t
p
(seconds)
Transconductance vs. Drain Current
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
3.0
.6
1.2
1.8
G
F
(
I
D
(amperes)
Power Dissipation vs. Case Temperature
0
150
100
50
10
8
6
4
2
125
75
°
(
25
T
C
C)
D
P
V
DS
= 25V
8V
6V
4V
2V
TO-92
TO-92
T
C
= 25
°
C
P
D
= 1W
TO-92 (DC)
TO-92 (pulsed)
8V
6V
4V
2V
2.4
0
0
0
0
T
A
= -55
°
C
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
T
A
= 25
°
C
T
A
= 150
°
C
T
C
= 25
°
C
相關PDF資料
PDF描述
TN0200K CONNECTOR ACCESSORY
TN0200T N-Channel 20-V (D-S) MOSFETs
TN0200TS N-Channel 20-V (D-S) MOSFETs
TN0200T N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(N溝道增強型MOSFET)
TN0200TS N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(N溝道增強型MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TN0110N3 功能描述:MOSFET 100V 3Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN0110N3-G 功能描述:MOSFET 100V 3Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN0110N3-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TN0110N3-G P003 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TN0110N3-G P005 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*