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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TMS426400P |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 4194304-WORD BY 4-BIT HIGH-SPEED DRAMS |
| 中文描述： | 4194304 - Word的4位高速DRAM等 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/30頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 441K |
| 代理商： | TMS426400P |
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TMS416400, TMS416400P, TMS417400, TMS417400P
TMS426400, TMS426400P, TMS427400, TMS427400P
4194304-WORD BY 4-BIT HIGH-SPEED DRAMS
SMKS881B – MAY 1995 – REVISED AUGUST 1995
15
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
VTH
RL
Output Under Test
CL = 100 pF
(a) LOAD CIRCUIT
VCC
R1
Output Under Test
(b) ALTERNATE LOAD CIRCUIT
R2
CL = 100 pF
DEVICE
VCC (V)
5
R1 (
)
828
R2 (
)
295
VTH (V)
1.31
RL (
)
218
’41x400/P
’42x400/P
3.3
1178
868
1.4
500
Figure 2. Load Circuits for Timing Parameters
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS427400 | 4194304-WORD BY 4-BIT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS427400P | 4194304-WORD BY 4-BIT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS416409A | 4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS417409ADJ-60 | 4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS417409A | 4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TMS426409A | 制造商:NSC 制造商全稱(chēng):National Semiconductor 功能描述:4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS427400 | 制造商:TI 制造商全稱(chēng):Texas Instruments 功能描述:4194304-WORD BY 4-BIT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS427400P | 制造商:TI 制造商全稱(chēng):Texas Instruments 功能描述:4194304-WORD BY 4-BIT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS427409A | 制造商:NSC 制造商全稱(chēng):National Semiconductor 功能描述:4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS427409ADGA-60 | 制造商:NSC 制造商全稱(chēng):National Semiconductor 功能描述:4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
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