參數(shù)資料
型號： TIP140
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Darlington Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率達林頓晶體管)
中文描述： 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
封裝： CASE 340D-02, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： TIP140
TIP140, TIP141, TIP142, (NPN); TIP145, TIP146, TIP147, (PNP)
http://onsemi.com
4
V
V
V
5000
0.5
Figure 3. DC Current Gain versus Collector Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
300
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
500
h
V
CE
= 4.0 V
4.0
NPN
TIP140, TIP141, TIP142
PNP
TIP145, TIP146, TIP147
Figure 4. CollectorEmitter Saturation Voltage
5.0
75
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
0.5
I
C
= 10 A, I
B
= 4.0 mA
2.0
3.0
4.0
75
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
25
25
75
175
3.6
3.2
2.8
2.4
0.8
Figure 5. BaseEmitter Voltage
2000
1000
T
J
= 150
°
C
25
°
C
55
°
C
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
125
20,000
1000
2000
3000
5000
10,000
7000
1.0
0.7
0.5
V
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
4.0
0.7
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
5.0
75
2.0
3.0
1.0
0.7
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.0
1.6
1.2
4.0
75
25
25
75
175
3.6
3.2
2.8
2.4
0.8
125
2.0
1.6
1.2
100
°
C
T
J
= 150
°
C
100
°
C
25
°
C
55
°
C
V
CE
= 4.0 V
I
C
= 5.0 A, I
B
= 10 mA
I
C
= 1.0 A, I
B
= 2.0 mA
I
C
= 10 A, I
B
= 4.0 mA
I
C
= 5.0 A, I
B
= 10 mA
I
C
= 1.0 A, I
B
= 2.0 mA
V
CE
= 4.0 V
I
C
= 10 A
5.0 A
1.0 A
V
CE
= 4.0 V
I
C
= 10 A
5.0 A
1.0 A
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TIP140 NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(NPN硅外延達林頓晶體管（內(nèi)置基極-射極分流電阻單片結(jié)構(gòu)）)
TIP141T NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(NPN硅外延達林頓晶體管（內(nèi)置基極-射極分流電阻單片結(jié)構(gòu)）)
TIP140T NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(NPN硅外延達林頓晶體管（內(nèi)置基極-射極分流電阻單片結(jié)構(gòu)）)
TIP142T NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(NPN硅外延達林頓晶體管（內(nèi)置基極-射極分流電阻單片結(jié)構(gòu)）)
TIP146T PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(PNP硅外延達林頓晶體管（內(nèi)置基極-射極分流電阻單片結(jié)構(gòu)）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TIP140 制造商:Bourns Inc 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
TIP140_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Complementary Silicon Power Transistors
TIP140F 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL
TIP140FTU 功能描述:達林頓晶體管 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
TIP140G 功能描述:達林頓晶體管 10A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*