參數(shù)資料
型號(hào)： TIP141T
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(NPN硅外延達(dá)林頓晶體管（內(nèi)置基極-射極分流電阻單片結(jié)構(gòu)）)
中文描述： 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 101K
代理商： TIP141T
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. B, February 2000
T
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CBO
Collector-Base Voltage : TIP140T
: TIP141T
: TIP142T
Collector-Emitter Voltage : TIP140T
: TIP141T
: TIP142T
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current (DC)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=5
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CEO
(sus)
Collector-Emitter Sustaining Voltage
Value
60
80
100
60
80
100
5
10
15
0.5
80
150
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
V
CEO
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
: TIP140T
: TIP141T
: TIP142T
I
C
= 30mA, I
B
= 0
60
80
100
V
V
V
I
CEO
Collector Cut-off Current
: TIP140T
: TIP141T
: TIP142T
V
CE
= 30V, I
B
= 0
V
CE
= 40V, I
B
= 0
V
CE
= 50V, I
B
= 0
2
2
2
mA
mA
mA
I
CBO
Collector Cut-off Current
: TIP140T
: TIP141T
: TIP142T
V
CB
= 60V, I
E
= 0
V
CB
= 80V, I
E
= 0
V
CB
= 100V, I
E
= 0
V
BE
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 4V, I
C
= 5A
V
CE
=4V, I
C
= 10A
I
C
= 5A, I
B
= 10mA
I
C
= 10A, I
B
= 40mA
I
C
= 10A, I
B
= 40mA
V
CE
= 4V, I
C
= 10A
V
CC
= 30V, I
C
= 5A
I
B1
= 20mA
I
B2
= -20mA
R
L
= 6
1
1
1
2
mA
mA
mA
mA
mA
I
EBO
h
FE
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
1000
500
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
2
3
V
V
V
V
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
V
BE
(sat)
V
BE
(on)
t
D
t
R
t
STG
t
F
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter ON Voltage
Delay Time
Rise Time
Storage Time
Fall Time
3.5
3
0.15
0.55
2.5
2.5
TIP140T/141T/142T
Monolithic Construction With Built In Base-
Emitter Shunt Resistors
High DC Current Gain : h
FE
= 1000 @ V
CE
= 4V, I
C
= 5A (Min.)
Industrial Use
Complement to TIP145T/146T/147T
1.Base 2.Collector 3.Emitter
TO-220
1
Equivalent Circuit
B
E
C
R1
R2
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PDF描述
TIP140T NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(NPN硅外延達(dá)林頓晶體管（內(nèi)置基極-射極分流電阻單片結(jié)構(gòu)）)
TIP142T NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(NPN硅外延達(dá)林頓晶體管（內(nèi)置基極-射極分流電阻單片結(jié)構(gòu)）)
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TIP145T PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(PNP硅外延達(dá)林頓晶體管（內(nèi)置基極-射極分流電阻單片結(jié)構(gòu)）)
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參數(shù)描述
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TIP141TTU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
TIP141TU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
TIP142 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
TIP-142 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
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