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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TIM5359-60SL |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| 中文描述： | 微波功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | TIM5359-60SL |
T IM5359-60S L
Power Dissipation(PT) vs. Case Temperature(Tc)
4
200
100
0
P
40
80
120
160
200
0
Tc(
°
C )
IM3 vs. Power Characteristics
-10
V
DS
=10V
I
DS
set
9.5A
freq.=5.9GHz
Δ
f=5MHz
-20
-30
I
-40
-50
-60
34
36
32
38
40
42
Pout(dBm) @Single carrier level
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIM6472-30SL | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| TIM6472-8UL | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| TIM7785-12UL | BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET |
| TIM7785-4UL | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| TIP100 | NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(NPN硅外延達(dá)林頓晶體管（內(nèi)置基極-射極分流電阻單片結(jié)構(gòu)）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TIM5359-8 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:MICROWAVE POWER GaAs FET |
| TIM5359-80SL | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED,5GHZ,125W - Trays |
| TIM5359-8SL | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR, GAAS FET, INTERNALLY MATCHED, 5GHZ, 37.5W - Trays |
| TIM5359-8UL | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR, GAAS FET, INTERNALLY MATCHED, 5GHZ, 37.5W - Trays |
| TIM-5510 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Embedded Mainboard |
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