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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TIM5359-60SL |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| 中文描述： | 微波功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | TIM5359-60SL |
T IM5359-60S L
RF PERFORMANCE
Output Power (Pout) vs. Frequency
VDS=10V
IDS
13.2A
Pin=39.0dBm
50
49
48
47
5.3
5.4
5.5
Frequency(GHz)
5.6
5.7
5.8
5.9
P
Output Power(Pout) vs. Input Power(Pin)
freq.=5.9GHz
V
DS
=10V
I
DS
set
9.5A
Pout
η
add
51
50
49
48
47
46
45
44
43
P
90
80
70
60
50
40
30
20
η
a
42
33
35
37
39
41
43
Pin(dBm)
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIM6472-30SL | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| TIM6472-8UL | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| TIM7785-12UL | BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET |
| TIM7785-4UL | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| TIP100 | NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor（Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistor）(NPN硅外延達(dá)林頓晶體管（內(nèi)置基極-射極分流電阻單片結(jié)構(gòu)）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TIM5359-8 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:MICROWAVE POWER GaAs FET |
| TIM5359-80SL | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED,5GHZ,125W - Trays |
| TIM5359-8SL | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR, GAAS FET, INTERNALLY MATCHED, 5GHZ, 37.5W - Trays |
| TIM5359-8UL | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR, GAAS FET, INTERNALLY MATCHED, 5GHZ, 37.5W - Trays |
| TIM-5510 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Embedded Mainboard |
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