- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383944 > TF28F008SA-100 (INTEL CORP) 8-MBIT (1-MBIT x 8) FlashFileTM MEMORY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | TF28F008SA-100 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8-MBIT (1-MBIT x 8) FlashFileTM MEMORY |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 12V PROM, 100 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, REVERSE, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 4/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 466K |
| 代理商： | TF28F008SA-100 |
第1頁第2頁第3頁當前第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁
28F008SA
Table 1. Pin Description
Symbol
Type
Name and Function
A
0
–A
19
INPUT
ADDRESS INPUTS
for memory addresses. Addresses are internally
latched during a write cycle.
DQ
0
–DQ
7
INPUT/OUTPUT
DATA INPUT/OUTPUTS:
Inputs data and commands during Command
User Interface write cycles; outputs data during memory array, Status
Register and Identifier read cycles. The data pins are active high and
float to tri-state off when the chip is deselected or the outputs are
disabled. Data is internally latched during a write cycle.
CE
Y
INPUT
CHIP ENABLE:
Activates the device’s control logic, input buffers,
decoders, and sense amplifiers. CE
Y
is active low; CE
Y
high deselects
the memory device and reduces power consumption to standby levels.
RP
Y
INPUT
RESET/DEEP POWERDOWN:
Puts the device in deep powerdown
mode. RP
Y
is active low; RP
Y
high gates normal operation. RP
Y
also
locks out block erase or byte write operations when active low, providing
data protection during power transitions. RP
Y
active resets internal
automation. Exit from Deep Powerdown sets device to read-array mode.
OE
Y
INPUT
OUTPUT ENABLE:
Gates the device’s outputs through the data buffers
during a read cycle. OE
Y
is active low.
WE
Y
INPUT
WRITE ENABLE:
Controls writes to the Command User Interface and
array blocks. WE
Y
is active low. Addresses and data are latched on the
rising edge of the WE
Y
pulse.
RY/BY
Y
OUTPUT
READY/BUSY
Y
:
Indicates the status of the internal Write State
Machine. When low, it indicates that the WSM is performing a block
erase or byte write operation. RY/BY
Y
high indicates that the WSM is
ready for new commands, block erase is suspended or the device is in
deep powerdown mode. RY/BY
Y
is always active and does
NOT
float
to tri-state off when the chip is deselected or data outputs are disabled.
V
PP
BLOCK ERASE/BYTE WRITE POWER SUPPLY
for erasing blocks of
the array or writing bytes of each block.
NOTE:
With V
PP
k
V
PPLMAX
, memory contents cannot be altered.
V
CC
DEVICE POWER SUPPLY (5V
g
10%, 5V
g
5%)
GND
GROUND
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TFB2002BM | Futurebus+ I/O Controllers(面向未來總線I/O控制器) |
| TFB2010M | Futurebus+ Controllers(面向未來總線控制器) |
| TFF11092HN | Low phase noise LO generator |
| BLP7G10S-140 | Power LDMOS transistor |
| BLP7G10S-140G | Power LDMOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TF2-9V | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
| TF2-9V-3 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
| TF-2A-69221-S | 制造商:Acme Electric Corporation XXX 功能描述: |
| TF2CFF5SP0010C | 功能描述:SWITCH SNAP ACTION SPDT 100MA 制造商:c&k components 系列:TF2 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電路:SPDT 開關(guān)功能:開-瞬時 額定電流:100mA（AC） 額定電壓 - AC:125V 額定電壓 - DC:- 致動器類型:圓形（針狀沖桿） 安裝類型:底座安裝 端子類型:焊片 侵入防護:- 特性:- 操作力，扭矩:45gf 釋放力:7gf 預行程:0.068"（1.72mm） 差動行程:0.016"（0.4mm） 超行程:0.031"（0.79mm） 工作位置:0.579"（14.7mm） 機械壽命:- 電氣壽命:10，000 次循環(huán) 工作溫度:-40°C ~ 85°C 標準包裝:300 |
| TF2CFF5SP0040C | 功能描述:SWITCH SNAP ACT SPDT 100MA 125V 制造商:c&k components 系列:TF2 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電路:SPDT 開關(guān)功能:開-瞬時 額定電流:100mA（AC） 額定電壓 - AC:125V 額定電壓 - DC:- 致動器類型:圓形（針狀沖桿） 安裝類型:底座安裝 端子類型:快速連接 - 0.187"（4.7mm） 侵入防護:- 特性:- 操作力，扭矩:45gf 釋放力:7gf 預行程:0.068"（1.72mm） 差動行程:0.016"（0.4mm） 超行程:0.031"（0.79mm） 工作位置:0.579"（14.7mm） 機械壽命:- 電氣壽命:10，000 次循環(huán) 工作溫度:-40°C ~ 85°C 標準包裝:300 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。