參數(shù)資料
型號： TF28F008SA-100
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 8-MBIT (1-MBIT x 8) FlashFileTM MEMORY
中文描述： 1M X 8 FLASH 12V PROM, 100 ns, PDSO40
封裝： 10 X 20 MM, REVERSE, TSOP-40
文件頁數(shù)： 24/33頁
文件大?。?/td> 466K
代理商： TF28F008SA-100
28F008SA
EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
AC CHARACTERISTICSDRead-Only Operations
(1)
Versions
V
CC
g
10%
28F008SA-100
(5)
Unit
Symbol
Parameter
Notes
Min
Max
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
100
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
100
ns
t
ELQV
t
CE
CE
Y
to Output Delay
2
100
ns
t
PHQV
t
PWH
RP
Y
High to Output Delay
400
ns
t
GLQV
t
OE
OE
Y
to Output Delay
2
55
ns
t
ELQX
t
LZ
CE
Y
to Output Low Z
3
0
ns
t
EHQZ
t
HZ
CE
Y
High to Output High Z
3
55
ns
t
GLQX
t
OLZ
OE
Y
to Output Low Z
3
0
ns
t
GHQZ
t
DF
OE
Y
High to Output High Z
3
30
ns
t
OH
Output Hold from Addresses, CE
Y
or
OE
Y
Change, Whichever is First
3
0
ns
NOTES:
1. See AC Input/Output Reference Waveform for timing measurements.
2. OE
Y
may be delayed up to t
CE
–t
OE
after the falling edge of CE
Y
without impact on t
CE
.
3. Sampled, not 100% tested.
4. See High Speed AC Input/Output Reference Waveforms and High Speed AC Testing Load Circuits for testing characteris-
tics.
5. See AC Input/Output Reference Waveforms and AC Testing Load Circuits for testing characteristics.
24
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