參數(shù)資料
型號(hào)： TE28F256P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù)： 13/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： TE28F256P30T85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
13
3.3
QUAD+ SCSP Packages
Figure 3.
64/128-Mbit, 88-ball (80 active) QUAD+ SCSP Specifications (8x10x1.2 mm)
Millimeters
Nom
-
-
0.860
0.375
10.000
8.000
0.800
88
-
1.200
0.600
Inches
Nom
-
-
0.0339
0.0148
0.3937
0.3150
0.0315
88
-
0.0472
0.0236
Dimensions
Package Height
Ball Height
Package Body Thickness
Ball (Lead) Width
Package Body Width
Package Body Length
Pitch
Ball (Lead) Count
Seating Plane Coplanarity
Corner to Ball A1 Distance Along E
Corner to Ball A1 Distance Along D
Symbol
A
A
1
A
2
b
D
E
e
N
Y
S
1
S
2
Min
-
0.200
-
0.325
9.900
7.900
-
-
-
1.100
0.500
Max
1.200
-
-
0.425
10.100
8.100
-
-
0.100
1.300
0.700
Min
-
0.0079
-
0.0128
0.3898
0.3110
-
-
-
0.0433
0.0197
Max
0.0472
-
-
0.0167
0.3976
0.3189
-
-
0.0039
0.0512
0.0276
Top View - Ball
Down
Bottom View - Ball Up
A
A
2
D
E
Y
A
1
Drawing not to scale.
S
2
S
1
A
C
B
E
D
G
F
J
K
H
L
M
e
1
2
3
4
5
6
7
8
b
A
C
B
E
D
G
F
J
K
H
L
M
1
2
3
4
5
6
7
8
A1 Index
Mark
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F640P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F160B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F800B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
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參數(shù)描述
TE28F256P30T95 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory
TE28F256P30T95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
TE28F256P30TFA 功能描述:IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
TE28F256P33B95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
TE28F256P33BFA 功能描述:IC FLASH 256MBIT 105NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
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