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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F256P30B85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 72/102頁 |
| 文件大小： | 1609K |
| 代理商： | TE28F256P30B85 |
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1-Gbit P30 Family
April 2005
72
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
13.3
Protection Registers
The device contains 17 Protection Registers (PRs) that can be used to implement system security
measures and/or device identification. Each Protection Register can be individually locked.
The first 128-bit Protection Register is comprised of two 64-bit (8-word) segments. The lower 64-
bit segment is pre-programmed at the Intel factory with a unique 64-bit number. The other 64-bit
segment, as well as the other sixteen 128-bit Protection Registers, are blank. Users can program
these registers as needed. When programmed, users can then lock the Protection Register(s) to
prevent additional bit programming (see
Figure 33, “Protection Register Map” on page 73
).
The user-programmable Protection Registers contain one-time programmable (OTP) bits; when
programmed, register bits cannot be erased. Each Protection Register can be accessed multiple
times to program individual bits, as long as the register remains unlocked.
Each Protection Register has an associated Lock Register bit. When a Lock Register bit is
programmed, the associated Protection Register can only be read; it can no longer be programmed.
Additionally, because the Lock Register bits themselves are OTP, when programmed, Lock
Register bits cannot be erased. Therefore, when a Protection Register is locked, it cannot be
unlocked.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F256P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F640P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F640P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F128P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F160B3-B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F256P30B95 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F256P30B95A | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| TE28F256P30BFA | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| TE28F256P30T85 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F256P30T95 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory |
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