參數(shù)資料
型號： TE28F256P30B85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù)： 15/102頁
文件大小： 1609K
代理商： TE28F256P30B85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
15
Figure 5.
512-Mbit, 88-ball (80 active) QUAD+ SCSP Specifications (8x11x1.2 mm)
Millimeters
Nom
-
-
0.860
0.375
11.000
8.000
0.800
88
-
1.200
1.100
Inches
Nom
-
-
0.0339
0.0148
0.4331
0.3150
0.0315
88
-
0.0472
0.0433
Dimensions
Package Height
Ball Height
Package Body Thickness
Ball (Lead) Width
Package Body Length
Package Body Width
Pitch
Ball (Lead) Count
Seating Plane Coplanarity
Corner to Ball A1 Distance Along E
Corner to Ball A1 Distance Along D
Symbol
A
A1
A2
b
D
E
e
N
Y
S1
S2
Min
-
0.200
-
0.325
10.900
7.900
-
-
-
1.100
1.000
Max
1.200
-
-
0.425
11.100
8.100
-
-
0.100
1.300
1.200
Min
-
0.0079
-
0.0128
0.4291
0.3110
-
-
-
0.0433
0.0394
Max
0.0472
-
-
0.0167
0.4370
0.3189
-
-
0.0039
0.0512
0.0472
Top View - Ball Down
Bottom View - Ball Up
A
A2
D
E
Y
A1
Drawing not to scale.
S2
S1
A
C
B
E
D
G
F
J
K
H
L
M
e
1
2
3
4
5
6
7
8
b
A
C
B
E
D
G
F
J
K
H
L
M
A1 Index
Mark
1
2
3
4
5
6
7
8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F256P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F640P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F160B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
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