參數資料
型號： TE28F256P30B85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數： 27/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： TE28F256P30B85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
27
0
128
18
0F0000 - 0FFFFF
10
070000 - 07FFFF
.
.
.
.
.
128
4
010000 - 01FFFF
4
010000 - 01FFFF
32
3
00C000 - 00FFFF
3
00C000 - 00FFFF
.
.
.
.
.
32
0
000000 - 03FFFF
0
000000 - 00FFFF
Table 8.
Discrete Bottom Parameter Memory Maps (all packages)
Programming
Region
Size
(KB)
Blk
256-Mbit
Blk
128-Mbit
Programming
Region
Size
(KB)
Blk
64-Mbit
Table 9.
512-Mbit Memory Map (Easy BGA and QUAD+ SCSP)
Flash Die #
Die Stack Config.
Size (KB)
512-Mbit Flash (2x256-Mbit w/ 1CE)
Blk
Address Range
2
Flash Die #2
(Top Parameter)
32
258
FFC000 - FFFFFF
.
.
.
32
255
FF0000 - FF3FFF
128
254
FE0000 - FEFFFF
.
.
.
128
0
000000 - 00FFFF
1
Flash Die #1 (Bottom
Parameter)
128
258
FF0000 - FFFFFF
.
.
.
128
4
010000 - 01FFFF
32
3
00C000 - 00FFFF
.
.
.
32
0
000000 - 003FFF
Note:
Refer to 256-Mbit Memory Map (
Table 7
and
Table 8
) for Programming Region Information.
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PDF描述
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