參數(shù)資料
型號(hào)： TE28F256P30B85
廠(chǎng)商： INTEL CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁(yè)數(shù)： 28/102頁(yè)
文件大?。?/td> 1609K
代理商： TE28F256P30B85
1-Gbit P30 Family
April 2005
28
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
Table 10.
1-Gbit Memory Map (QUAD+ SCSP only)
Flash Die #
Die Stack Config.
Size (KB)
1-Gbit Flash (4x256-Mbit w/ 2CE)
Blk
Address Range
4
Flash Die #4
(Top Parameter)
32
258
FFC000 - FFFFFF
.
.
.
32
255
FF0000 - FF3FFF
128
254
FE0000 - FEFFFF
.
.
.
128
0
000000 - 00FFFF
3
Flash Die #3
(Bottom Parameter)
128
258
FF0000 - FFFFFF
.
.
.
128
5
020000 - 02FFFF
32
3
00C000 - 00FFFF
.
.
.
32
0
000000 - 003FFF
2
Flash Die #2
(Top Parameter)
32
258
FFC000 - FFFFFF
.
.
.
32
255
FF0000 - FF3FFF
128
254
FE0000 - FEFFFF
.
.
.
128
0
000000 - 00FFFF
1
Flash Die #1
(Bottom Parameter)
128
258
FF0000 - FFFFFF
.
.
.
128
4
010000 - 01FFFF
32
3
00C000 - 00FFFF
.
.
.
32
0
000000 - 003FFF
Note:
Refer to 256-Mbit Memory Map (
Table 7
and
Table 8
) for Programming Region Information.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F256P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F640P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F160B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
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參數(shù)描述
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