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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TE28F160S3-120 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 23/52頁 |
| 文件大小： | 1262K |
| 代理商： | TE28F160S3-120 |
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E
28F160S3, 28F320S3
23
ADVANCE INFORMATION
4.2.6
DEVICE GEOMETRY DEFINITION
This field provides critical details of the flash device
geometry.
Table 10. Device Geometry Definition
Offset
Length
(bytes)
Description
28F320S3/
28F160S3
27h
01h
Device Size = 2
N
in Number of Bytes
27:
(16Mb)
0015h
27: 0016h
(32Mb)
28h
02h
Flash Device Interface Description
value
meaning
0002h
x8/x16 asynchronous
28:
29:
0002h
0000h
2Ah
02h
Maximum Number of Bytes in Write Buffer = 2
N
2A:
2B:
0005h
0000h
2Ch
01h
Number of Erase Block Regions within Device:
bits 7
–0 = x
= # of Erase Block Regions
2C:
0001h
2Dh
04h
Erase Block Region Information
bits 15–0 = y
, Where y+1 = Number of Erase Blocks of
Identical Size within Region
bits 31–16 = z
, Where the Erase Block(s) within This Region
are (z)
×
256 Bytes
y:
(16Mb)
2D:
2E:
32 Blk
001Fh
0000h
y: 64 Blk
(32Mb)
2D: 003Fh
2E: 0000h
z:
2F:
30:
64-KB
0000h
0001h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F400B3T90 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F004 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F004B3T90 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F640B3TC100 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F320B3TC70 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F160S3-130 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:WORD-WIDE FlashFile MEMORY FAMILY |
| TE28F160S3-75 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:WORD-WIDE FlashFile MEMORY FAMILY |
| TE28F160S375-RFB | 制造商:Intel 功能描述: |
| TE28F200B5B80 | 制造商:Intel 功能描述: |
| TE28F200B5T80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY 2, 4, 8 MBIT |
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