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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F160B3B90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 8/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 304K |
| 代理商： | TE28F160B3B90 |
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
E
8
PRELIMINARY
A
14
A
15
A
16
A
17
V
CCQ
A
12
A
10
A
13
NC
A
11
A
8
WE#
A
9
D
5
D
6
V
PP
RP#
NC
NC
WP#
A
19
A
21
D
2
D
3
A
20
A
18
A
6
NC
NC
A
7
A
5
A
3
CE#
D
0
A
4
A
2
A
1
A
0
GND
GND
D
7
NC
D
4
V
CC
NC
D
1
OE#
A
B
C
D
E
F
1
3
2
5
4
7
6
8
16M
32M
8M
0580_04
NOTE:
1.
Shaded connections indicate the upgrade address connections. Lower density devices will not have the upper address
solder balls. Routing is not recommended in this area. A
20
is the upgrade address for the 16-Mbit device. A
21
is the
upgrade address for the 32-Mbit device.
4-Mbit density not available in
μ
BGA* CSP.
Figure 3. x8 48-Ball
μ
BGA* Chip Size Package (Top View, Ball Down)
2.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F032B3B90 | TVS UNIDIRECT 400W 78V SMA |
| TE28F320B3BA110 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F160B3T110 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F160C3 | 3 Volt Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F160B3BA110 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 1M x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP |
| TE28F160B3BA110S | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Intel 功能描述: |
| TE28F160B3BA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F160B3BC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F160B3BC80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
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