- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄383992 > TE28F128P30xxx (Intel Corp.) Intel StrataFlash Embedded Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TE28F128P30xxx |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/102頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1609K |
| 代理商： | TE28F128P30XXX |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)當(dāng)前第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
27
0
128
18
0F0000 - 0FFFFF
10
070000 - 07FFFF
.
.
.
.
.
128
4
010000 - 01FFFF
4
010000 - 01FFFF
32
3
00C000 - 00FFFF
3
00C000 - 00FFFF
.
.
.
.
.
32
0
000000 - 03FFFF
0
000000 - 00FFFF
Table 8.
Discrete Bottom Parameter Memory Maps (all packages)
Programming
Region
Size
(KB)
Blk
256-Mbit
Blk
128-Mbit
Programming
Region
Size
(KB)
Blk
64-Mbit
Table 9.
512-Mbit Memory Map (Easy BGA and QUAD+ SCSP)
Flash Die #
Die Stack Config.
Size (KB)
512-Mbit Flash (2x256-Mbit w/ 1CE)
Blk
Address Range
2
Flash Die #2
(Top Parameter)
32
258
FFC000 - FFFFFF
.
.
.
32
255
FF0000 - FF3FFF
128
254
FE0000 - FEFFFF
.
.
.
128
0
000000 - 00FFFF
1
Flash Die #1 (Bottom
Parameter)
128
258
FF0000 - FFFFFF
.
.
.
128
4
010000 - 01FFFF
32
3
00C000 - 00FFFF
.
.
.
32
0
000000 - 003FFF
Note:
Refer to 256-Mbit Memory Map (
Table 7
and
Table 8
) for Programming Region Information.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F256P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F256P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F640P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F640P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F128P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F128P33B85A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ |
| TE28F128P33T85A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| TE28F160B3 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F160B3B110 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F160B3B120 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。