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參數資料
| 型號： | TE28F128P30xxx |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash嵌入式存儲器 |
| 文件頁數： | 29/102頁 |
| 文件大?。?/td> | 1609K |
| 代理商： | TE28F128P30XXX |
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1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
29
5.0
Maximum Ratings and Operating Conditions
5.1
Absolute Maximum Ratings
Warning:
Stressing the device beyond the “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage.
These are stress ratings only.
Parameter
Maximum Rating
Notes
Temperature under bias
–40 °C to +85 °C
1
Storage temperature
–65 °C to +125 °C
Voltage on any signal (except VCC, VPP)
–0.5 V to +4.1 V
2
VPP voltage
–0.2 V to +10 V
2,3,4
VCC voltage
–0.2 V to +2.5 V
2
VCCQ voltage
–0.2 V to +4.1 V
2
Output short circuit current
100 mA
5
Notes:
1.
2.
Temperature for 1-Gbit SCSP is –30 °C to +85 °C.
Voltages shown are specified with respect to V
. Minimum DC voltage is –0.5 V on input/output
signals and –0.2 V on V
, V
, and V
. During transitions, this level may undershoot to –2.0 V for
periods < 20 ns. Maximum DC voltage on V
is V
+ 0.5 V, which, during transitions, may
overshoot to V
+ 2.0 V for periods < 20 ns. Maximum DC voltage on input/output signals and V
CCQ
is V
+ 0.5 V, which, during transitions, may overshoot to V
+ 2.0 V for periods < 20 ns.
Maximum DC voltage on V
may overshoot to +11.5 V for periods < 20 ns.
Program/erase voltage is typically 1.7 V – 2.0 V. 9.0 V can be applied for 80 hours maximum total, to
any blocks for 1000 cycles maximum. 9.0 V program/erase voltage may reduce block cycling
capability.
Output shorted for no more than one second. No more than one output shorted at a time.
3.
4.
5.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F256P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F256P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F640P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F640P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F128P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TE28F128P33B85A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| TE28F128P33T85A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| TE28F160B3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F160B3B110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F160B3B120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
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