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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TE28F128P30xxx |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/102頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1609K |
| 代理商： | TE28F128P30XXX |
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1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
13
3.3
QUAD+ SCSP Packages
Figure 3.
64/128-Mbit, 88-ball (80 active) QUAD+ SCSP Specifications (8x10x1.2 mm)
Millimeters
Nom
-
-
0.860
0.375
10.000
8.000
0.800
88
-
1.200
0.600
Inches
Nom
-
-
0.0339
0.0148
0.3937
0.3150
0.0315
88
-
0.0472
0.0236
Dimensions
Package Height
Ball Height
Package Body Thickness
Ball (Lead) Width
Package Body Width
Package Body Length
Pitch
Ball (Lead) Count
Seating Plane Coplanarity
Corner to Ball A1 Distance Along E
Corner to Ball A1 Distance Along D
Symbol
A
A
1
A
2
b
D
E
e
N
Y
S
1
S
2
Min
-
0.200
-
0.325
9.900
7.900
-
-
-
1.100
0.500
Max
1.200
-
-
0.425
10.100
8.100
-
-
0.100
1.300
0.700
Min
-
0.0079
-
0.0128
0.3898
0.3110
-
-
-
0.0433
0.0197
Max
0.0472
-
-
0.0167
0.3976
0.3189
-
-
0.0039
0.0512
0.0276
Top View - Ball
Down
Bottom View - Ball Up
A
A
2
D
E
Y
A
1
Drawing not to scale.
S
2
S
1
A
C
B
E
D
G
F
J
K
H
L
M
e
1
2
3
4
5
6
7
8
b
A
C
B
E
D
G
F
J
K
H
L
M
1
2
3
4
5
6
7
8
A1 Index
Mark
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F256P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F256P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F640P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F640P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F128P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F128P33B85A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| TE28F128P33T85A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| TE28F160B3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F160B3B110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F160B3B120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
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