參數(shù)資料
型號： TC58NS256DC
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 256-MBIT (32M ?8 BITS) CMOS NAND E2PROM (32M BYTE SmartMediaTM)
中文描述： 馬鞍山暫定東芝數(shù)字集成電路硅柵CMOS 256兆位（32M的？8位）的CMOS NAND型E2PROM的（32兆字節(jié)SmartMediaTM）
文件頁數(shù)： 3/33頁
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代理商： TC58NS256DC
TC58NS256DC
2000-08-27 3/33
VALID BLOCKS
(1)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP.
MAX
UNIT
N
VB
Number of Valid Blocks
2008
2048
Blocks
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RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP.
MAX
UNIT
V
CC
Power Supply Voltage
3
3.3
3.6
V
V
IH
High Level Input Voltage
2
V
CC
+
0.3
V
V
IL
Low Level Input Voltage
0.3
*
0.8
V
*
2 V (pulse width
≤
20 ns)
DC CHARACTERISTICS
(Ta
=
0°~55°C, V
CC
=
3.3 V
±
0.3 V)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITION
MIN
TYP.
MAX
UNIT
I
IL
Input Leakage Current
V
IN
=
0 V~V
CC
±
10
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
=
0.4 V~V
CC
±
10
μ
A
I
CCO1
Operating Current (Serial Read)
CE
=
V
IL
, I
OUT
=
0 mA,
t
cycle
=
50 ns
10
30
mA
I
CCO3
Operating Current
(Command Input)
t
cycle
=
50 ns
10
30
mA
I
CCO4
Operating Current (Data Input)
t
cycle
=
50 ns
10
30
mA
I
CCO5
Operating Current
(Address Input)
t
cycle
=
50 ns
10
30
mA
I
CCO7
Programming Current
10
30
mA
I
CCO8
Erasing Current
10
30
mA
I
CCS1
Standby Current
CE
=
V
IH
1
mA
I
CCS2
Standby Current
CE
=
V
CC
0.2 V
100
μ
A
V
OH
High Level Output Voltage
I
OH
=
400
μ
A
2.4
V
V
OL
Low Level Output Voltage
I
OL
=
2.1 mA
0.4
V
I
OL
(
BY
/
RY
)
Output Current of
BY
/
RY
Pin
V
OL
=
0.4 V
8
mA
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PDF描述
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