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參數(shù)資料
| 型號： | TC58NS256DC |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 256-MBIT (32M ?8 BITS) CMOS NAND E2PROM (32M BYTE SmartMediaTM) |
| 中文描述： | 馬鞍山暫定東芝數(shù)字集成電路硅柵CMOS 256兆位（32M的？8位）的CMOS NAND型E2PROM的（32兆字節(jié)SmartMediaTM） |
| 文件頁數(shù)： | 22/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 709K |
| 代理商： | TC58NS256DC |
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TC58NS256DC
2000-08-27 22/33
Reset
The Reset mode stops all operations. For example, in the case of a Program or Erase operation the internally
generated voltage is discharged to 0 volts and the device enters Wait state.
The address and data registers are set as follows after a Reset:
Address Register: All 0
Data Register:
All 1
Operation Mode: Wait state
The response to an FFH Reset command input during the various device operations is as follows:
When a Reset (FFH) command is input during programming
When a Reset (FFH) command is input during erasing
When a Reset (FFH) command is input during a Read operation
Internal erase
voltage
D0
FF
00
BY
/
RY
Register set
t
RST
(max 500
μ
s)
Figure 9.
00
FF
00
BY
/
RY
t
RST
(max 6
μ
s)
Figure 10.
Internal V
PP
80
10
FF
00
BY
/
RY
Register set
t
RST
(max 10
μ
s)
Figure 8.
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PDF描述 |
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