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參數(shù)資料
| 型號： | TC58FV321 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 32-MBIT (4M X 8 BITS / 2M X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 東芝馬鞍山數(shù)字集成電路硅柵CMOS 32兆位（4米× 8位/ 2米× 16位）的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 37/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 560K |
| 代理商： | TC58FV321 |
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TC58FVT321/B321FT/XB-70,-10
2002-08-06 37/48
DQ7 DATA
DQ6 Toggle Bit
Yes
No
Yes
No
Read Byte (DQ0~DQ7)
Addr.
=
VA
Read Byte (DQ0~DQ7)
Addr.
=
VA
Start
DQ7
=
Data
DQ5
=
1
DQ7
=
Data
No
Yes
1)
1)
: DQ7 must be rechecked even if DQ5
=
1
because DQ7 may change at the same
time as DQ5.
Fail
Pass
VA: Byte address for programming
Any of the addresses within the block being erased during a Block Erase operation
“
Don
’
t care
”
during a Chip Erase operation
Any address not within the current block during an Erase Suspend operation
No
No
No
Yes
Read Byte (DQ0~DQ7)
Addr.
=
VA
Read Byte (DQ0~DQ7)
Addr.
=
VA
Start
DQ6
=
Toggle
DQ5
=
1
DQ6
=
Toggle
Yes
Yes
1)
1) : DQ6 must be rechecked even if DQ5
=
1
because DQ6 may stop toggling at the
same time that DQ5 changes to 1.
Fail
Pass
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PDF描述 |
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