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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | T4312816B |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 8M x 16 SDRAM 2M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8米× 16 SDRAM的2米x 16Bit的X 4Banks同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 61/70頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 688K |
| 代理商： | T4312816B |
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TE
CH
tm
T4312816B
TM Technology Inc. reserves the right
P. 61
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
Figure 19.2. Full Page Write Cycle
(Burst Length=Full Page, CAS# Latency=2)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
A10
A0~A9,A11
DQM
DQ
BA0,1
DAx+1
DAx
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
Activate
Command
Bank B
The burst counter wraps
from the highest order
page address back to zero
during this time interval
RAx
RAx
Burst Stop
Command
CBx
High
Write
Command
Bank B
Precharge
Command
Bank B
RBx
CAx
RBy
RBy
Full Page burst operation does
not terminate when the burst
length is satisfied; the burst counter
increments and continues bursting
beginning with the starting address.
Activate
Command
Bank B
t
CK2
DAx+2 DAx+3 DAx-1
DAx
DAx+1
DBx
DBx+1DBx+2DBx+3
DBx+4 DBx+5 DBx+6
Write
Command
Bank A
Data is ignored
RBx
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T4312816B-6S | 8M x 16 SDRAM 2M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T4312816B-6SG | 8M x 16 SDRAM 2M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T4312816B-7S | 8M x 16 SDRAM 2M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T4312816B-7SG | 8M x 16 SDRAM 2M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T431616A | 1M x 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T4312816B-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM 2M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T4312816B-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM 2M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T4312816B-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM 2M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T4312816B-7SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM 2M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T4314 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE |
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