參數(shù)資料
型號(hào)： STY25NA60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 600V-0.225Ω-25A- Max247 Extremely Low Gate Charge Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
中文描述： N溝道600V的0.225Ω- 25A條，Max247柵極電荷極低功率MOSFET（不適用溝道功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 54K
代理商： STY25NA60
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 300 V I
D
= 12.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
V
DD
= 480 V I
D
= 25 A V
GS
= 10 V
45
70
60
90
ns
ns
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
240
25
115
315
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 480 V I
D
= 25 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
70
25
105
90
210
140
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
25
100
A
A
V
SD
(
)
I
SD
= 25 A V
GS
= 0
2
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 25 A di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 100 V T
j
= 150
o
C
840
19.5
46.5
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STY25NA60
3/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STY30NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率ＭＯＳ晶體管)
STY34NB50F Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):16A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:16A; Forward Current:16A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
STY60NK30Z N-CHANNEL 300V - 0.033ohm - 60A Max247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
STZT2222A Medium Power Amplifier(硅平面外延工藝NPN晶體管)
STZT2222 MEDIUM POWER AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STY30N50E 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
STY30NA50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STY30NK90Z 功能描述:MOSFET N-Ch 900 Volt 26 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY34NB50 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 34 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY34NB50F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 500V - 0.11ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*