參數(shù)資料
型號(hào)： STY25NA60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 600V-0.225Ω-25A- Max247 Extremely Low Gate Charge Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
中文描述： N溝道600V的0.225Ω- 25A條，Max247柵極電荷極低功率MOSFET（不適用溝道功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： STY25NA60
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-Heatsink Typ
with Conductive Grease
0.42
40
0.05
o
C/W
o
C/W
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
25
A
E
AS
3000
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A V
GS
= 0
600
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
c
= 125
o
C
50
500
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
=
±
30 V
±
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2.25
3
3.75
V
R
DS(on)
V
GS
= 10 V I
D
= 12.5 A
0.225
0.24
I
D(on)
On State Drain Current V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
25
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 12.5
A
V
DS
= 25 V f = 1 MHz V
GS
= 0
20
S
C
iss
C
oss
C
rss
6200
690
195
8000
900
255
pF
pF
pF
STY25NA60
2/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STY30NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率ＭＯＳ晶體管)
STY34NB50F Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):16A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:16A; Forward Current:16A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
STY60NK30Z N-CHANNEL 300V - 0.033ohm - 60A Max247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
STZT2222A Medium Power Amplifier(硅平面外延工藝NPN晶體管)
STZT2222 MEDIUM POWER AMPLIFIER
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參數(shù)描述
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STY34NB50 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 34 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY34NB50F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 500V - 0.11ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET
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