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STY30NA50

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STY30NA50
    STY30NA50

    STY30NA50

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • STM

  • NULL

  • 09/10+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • STY30NA50
    STY30NA50

    STY30NA50

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO247

  • 22+

  • -

  • 每一片都來(lái)自原廠，正品保證

  • STY30NA50
    STY30NA50

    STY30NA50

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ST

  • TO-247

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨！

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共14條 
  • 1
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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全稱
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STY30NA50 技術(shù)參數(shù)
  • STY145N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 138A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:138A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 69A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:414nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:18500pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:MAX247? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STY140NS10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 140A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:140A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 70A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:600nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:MAX247? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STY139N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 130A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:130A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 65A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:363nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:15600pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:MAX247? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STY130NF20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 130A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:130A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 65A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:338nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11100pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:MAX247? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STY112N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 93A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:96A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 47A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:350nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:16870pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:MAX247? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STZ6.2NT146 STZ6.8NT146 STZ6.8TT146 STZB-SK/RAIS STZC6.8NT146 STZD3155CT1G SU-1 SU-1/2 SU-1/4 SU-10 SU10000RT3U SU10000RT3U2TF SU10000RT3UG SU1000RTXL2U SU1000RTXL2UA SU1000RTXL2UN SU1000RTXLCD2U SU1000XLA
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