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參數(shù)資料
| 型號： | STW50N10 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | ? -通道增強型功率MOS器件 |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | STW50N10 |
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STW50N10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STW50NB20 | N - CHANNEL 200V - 0.047ohm - 50A - TO-247 PowerMESH MOSFET |
| STW5NB100 | N-Channel 1000V-4Ω-4.3A- TO-247 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET) |
| STW60NE10 | N - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET |
| STW60N10 | CAP 330PF 200V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
| STW80N06-10 | N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STW50N65DM2AG | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 28A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:87 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3200pF @ 100V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 |
| STW50NB20 | 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STW51000 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SUPER INTEGRATED DSP ENGINE |
| STW51000AT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SUPER INTEGRATED DSP ENGINE |
| STW5200 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:24-bit, 103 dB SNR audio DAC |
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