參數(shù)資料
型號： STW50N10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型功率MOS器件
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 94K
代理商： STW50N10
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
0.83
30
0.1
300
o
C/W
o
C/W
o
C/W
o
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
50
A
E
AS
400
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
100
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
o
C
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2
3
4
V
R
DS(on)
V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A
0.027
0.035
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
50
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 25 A
20
45
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
4100
600
150
5200
800
200
pF
pF
pF
STW50N10
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW50NB20 N - CHANNEL 200V - 0.047ohm - 50A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW5NB100 N-Channel 1000V-4Ω-4.3A- TO-247 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STW60NE10 N - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET
STW60N10 CAP 330PF 200V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
STW80N06-10 N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率ＭＯＳ晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW50N65DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 28A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:87 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3200pF @ 100V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STW50NB20 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW51000 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SUPER INTEGRATED DSP ENGINE
STW51000AT 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SUPER INTEGRATED DSP ENGINE
STW5200 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:24-bit, 103 dB SNR audio DAC
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