參數(shù)資料
型號： STW50N10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -通道增強型功率MOS器件
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： STW50N10
Fig. 1:
Unclamped InductiveLoad Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
ResistiveLoad
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 5:
TestCircuit For InductiveLoad Switching
And Diode RecoveryTimes
STW50N10
6/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW50NB20 N - CHANNEL 200V - 0.047ohm - 50A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW5NB100 N-Channel 1000V-4Ω-4.3A- TO-247 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STW60NE10 N - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET
STW60N10 CAP 330PF 200V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
STW80N06-10 N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW50N65DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 28A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:87 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3200pF @ 100V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標準包裝:30
STW50NB20 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW51000 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SUPER INTEGRATED DSP ENGINE
STW51000AT 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SUPER INTEGRATED DSP ENGINE
STW5200 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:24-bit, 103 dB SNR audio DAC
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*