參數(shù)資料
型號(hào)： STW50N10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型功率MOS器件
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商： STW50N10
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
V
DD
= 80 V
I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 50 A
25
75
35
105
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
GS
= 10 V
120
20
50
170
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 80 V
R
G
= 4.7
I
D
= 50 A
V
GS
= 10 V
30
35
65
45
50
95
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
50
200
A
A
V
SD
(
)
I
SD
= 50 A
V
GS
= 0
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 50 A
V
DD
= 30 V
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
200
1.4
14
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimited by safe operating area
(
1
) I
SD
≤
60 A, di/dt
≤
200 A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX
Safe OperatingArea
Thermal Impedance
STW50N10
3/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW50NB20 N - CHANNEL 200V - 0.047ohm - 50A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW5NB100 N-Channel 1000V-4Ω-4.3A- TO-247 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STW60NE10 N - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET
STW60N10 CAP 330PF 200V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
STW80N06-10 N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率ＭＯＳ晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW50N65DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 28A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:87 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3200pF @ 100V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STW50NB20 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW51000 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:SUPER INTEGRATED DSP ENGINE
STW51000AT 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:SUPER INTEGRATED DSP ENGINE
STW5200 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:24-bit, 103 dB SNR audio DAC
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