參數(shù)資料
型號： STN1HNC60
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 7ohm - 0.4A - SOT-223 PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 7ohm - 0.4A - SOT - 223封裝MOSFET的第二PowerMesh⑩
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 260K
代理商： STN1HNC60
STN1HNC60
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Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Capacitance Variations
相關PDF資料
PDF描述
STN1NC60 N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SOT-223 PowerMesh⑩II MOSFET
STN1NF10 N-CHANNEL 100V - 0.7ohm - 1A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STN2NE10 N - CHANNEL 100V - 0.33 ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET
STN2NF06L N-CHANNEL 60V - 0.1 ohm - 2A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STN2NF10 N-CHANNEL 100V - 0.23ohm - 2A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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STN1N20 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN1NB80 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN1NC60 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN1NF10 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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