參數(shù)資料
型號(hào)： STN1HNC60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 7ohm - 0.4A - SOT-223 PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 7ohm - 0.4A - SOT - 223封裝MOSFET的第二PowerMesh⑩
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大小： 260K
代理商： STN1HNC60
1/8
May 2001
STN1HNC60
N-CHANNEL 600V - 7
- 0.4A - SOT-223
PowerMeshII MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 7
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK
I
GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
The PowerMESH
II is
the evolution of the first
generation of MESH OVERLAY
.
The layout re-
finements introduced greatly improve the Ron*area
figure of merit while keeping the device at the lead-
ing edge for what concerns swithing speed, gate
charge and ruggedness.
APPLICATIONS
I
AC ADAPTORS AND BATTERY CHARGERS
I
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
I
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 100°C
I
DM (1)
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
dv/dt
Peak Diode Recovery voltage slope
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
()Pulse width limited by safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STN1HNC60
600 V
< 8
0.4 A
Parameter
Value
Unit
600
V
600
V
±30
V
0.4
A
0.25
A
1.6
A
2.5
W
0.02
3.5
W/°C
V/ns
–65 to 150
°C
150
°C
(1)I
SD
≤
0.4A, di/dt
≤
100A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX
1
2
2
3
SOT-223
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STN1NC60 N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SOT-223 PowerMesh⑩II MOSFET
STN1NF10 N-CHANNEL 100V - 0.7ohm - 1A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STN2NE10 N - CHANNEL 100V - 0.33 ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET
STN2NF06L N-CHANNEL 60V - 0.1 ohm - 2A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STN2NF10 N-CHANNEL 100V - 0.23ohm - 2A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STN1HNK60 功能描述:MOSFET 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN1N20 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN1NB80 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN1NC60 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN1NF10 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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