參數(shù)資料
型號： STN1HNC60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 7ohm - 0.4A - SOT-223 PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 7ohm - 0.4A - SOT - 223封裝MOSFET的第二PowerMesh⑩
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 260K
代理商： STN1HNC60
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STN1HNC60
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
t
r
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 300V, I
D
= 0.7A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 480V, I
D
= 1.4A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
8
8
Max.
Unit
ns
ns
Turn-on Delay Time
Rise Time
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
8.5
11.5
nC
Gate-Source Charge
2.8
nC
Gate-Drain Charge
2.8
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 480V, I
D
= 1.4A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
25
ns
Fall Time
9
ns
Cross-over Time
34
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
0.4
A
Source-drain Current (pulsed)
1.6
A
Forward On Voltage
I
SD
= 0.4 A, V
GS
= 0
I
SD
= 1.4A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 100V, Tj = 150°C
(see test circuit, Figure 5)
1.6
V
Reverse Recovery Time
500
ns
Reverse Recovery Charge
950
nC
Reverse Recovery Current
3.8
A
Thermal Impedance
Safe Operating Area
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STN1NC60 N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SOT-223 PowerMesh⑩II MOSFET
STN1NF10 N-CHANNEL 100V - 0.7ohm - 1A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STN2NE10 N - CHANNEL 100V - 0.33 ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET
STN2NF06L N-CHANNEL 60V - 0.1 ohm - 2A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STN2NF10 N-CHANNEL 100V - 0.23ohm - 2A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STN1HNK60 功能描述:MOSFET 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN1N20 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN1NB80 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN1NC60 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN1NF10 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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